Вітаємо!

Раді вітати Вас у електронному репозитарії Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут» (eNTUKhPIIR) ISSN 2409-5982

Репозитарій є одним з елементів інфраструктури відкритої науки НТУ «ХПІ» відповідно до Політик відкритої науки та відкритих освітніх ресурсів в Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут».

Розміщуєте свої публікації та відкриті освітні ресурси (OER) у репозитарії eNTUKhPIIR, сприяйте підвищенню рейтингу університету

Кількість документів у репозитарії: 97547

Для включення публікацій до репозитарію необхідно:

  1. Ознайомитися з положенням про репозитарій НТУ «ХПІ»
  2. Заповнити форму для передачі матеріалів

Публікації, розміщенні самостійно автором, проходять обов’язкове рецензування.

Інструкція з реєстрації

З усіх питань стосовно електронного репозитарію Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут», звертайтеся:
заступник директора бібліотеки Олена Бреславець, e-mail: olena.breslavec@khpi.edu.ua

Розділи

Виберіть розділ, щоб переглянути його колекції.

Нові надходження

  • Ескіз
    Тип елементу:Документ,
    Features of Photoelectric Processes in CdS/CdTe Thin Film Heterosystems with Nanoscale Layers in Back Contacts
    (Sumy State University, 2021) Khrypunova, A. L.; Shelest, T. M.; Dobrozhan, A. I.; Meriuts, A. V.
    A comparative study of the influence of the solar radiation intensity level on the output parameters and light diode characteristics of solar cells (SCs) based on the CdS/CdTe heterosystem with different types of back contact has been carried out. It is shown that the studied SCs obtained by vacuum thermal evaporation method have the maximum efficiency under illumination conditions of 60 % AM1.5. The presence of a maximum is caused by a decrease in the fill factor of the light I-V kharacteristic due to a decrease in the shunt resistance, while the short-circuit current and open-circuit voltage increase with increasing illumination. In the case of solving the problem with a decrease in the shunt resistance, it can be expected that the tendency to an increase in the efficiency with increasing illumination level can be continued in the region of concentrated radiation. It is shown that not only the back contact material, but also the nature of the interphase interaction of the back contact with the base CdTe layer has a determinative influence on the illumination dependence of the series resistance of these SCs obtained by vaсuum thermal evaporation method. The observed nonmonotonic dependence of the diode saturation current density on the illumination level is associated with two competing physical mechanisms. One mechanism assumes the traditional increase in the diode saturation current due to an increase in the concentration of nonequilibrium charge carriers generated by light, and the other one determines a decrease in the diode saturation current due to the filling of traps, which leads to an increase in the charge carrier lifetime.
  • Ескіз
    Тип елементу:Документ,
    Пристрій для перетворення сигналу вихрострумового датчика
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Катюха, В. С.
  • Ескіз
    Тип елементу:Документ,
    Актуальність і сфера застосування безпілотних літальних апаратів
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Караман, Дмитро Григорович; Бронніков, Н. О.; Куканов, Д. М.; Мєдвєдєв, Б. О.; Трухін, С. О.
  • Ескіз
    Тип елементу:Документ,
    Особливості фінансового обліку електронних грошей
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Главацька, А. П.
  • Ескіз
    Тип елементу:Документ,
    Зміцнення поверхні за допомогою тертя
    (Український державний університет залізничного транспорту, 2024) Волков, Олег Олексійович; Краєвська, Жанна Владиславівна; Субботіна, Валерія Валеріївна; Субботін, Олександр Володимирович; Федоренко, Ганна Анатоліївна
    Дослідження присвячено використанню методу зміцнення поверхні за допомогою тертя. Метод дає змогу досягти високих значень твердості, міцності та зносостійкості матеріалів за короткий час і зі значно меншими витратами. Мета дослідження полягає у вивченні характеру зміцнення поверхні зразків із сталі за допомогою тертя. Зміцнений «білий» шар є однорідним на всій поверхні зразків.