Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных р-n переходов
Вантажиться...
Дата
2013
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Проведены экспериментальные и теоретические исследования фотоэлектрических элементов на основе монокристаллического кремния. Рассмотрены основные теоретические аппроксимации для описания фронтального близко залегающего р-n перехода. Предложен численно–аналитический подход к описанию диффузионной модели барьера оптоэлектронного прибора. Из сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей показаны возможные технологические особенности, изменяющие токовые характеристики прибора.
Experimental studies and theory of galvanic photovoltaic elementary based on single-crystal silicon were made. The principal theoretical approximations to describe the frontal shallow p-n junction were considered. A numerical and analytical approach to the description of the diffusion model of the barrier of optoelectronic device was proposed. A comparisons of experimental and theoretical curves show the possible technological features that change the current characteristics of the device.
Experimental studies and theory of galvanic photovoltaic elementary based on single-crystal silicon were made. The principal theoretical approximations to describe the frontal shallow p-n junction were considered. A numerical and analytical approach to the description of the diffusion model of the barrier of optoelectronic device was proposed. A comparisons of experimental and theoretical curves show the possible technological features that change the current characteristics of the device.
Опис
Ключові слова
фотогальванический прибор, вольтамперные характеристики, монокристаллический кремний, optoelectronic device, diffusion model, numerical and analytical calculation, solar cell
Бібліографічний опис
Шевченко А. И. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных P-N переходов / А. И. Шевченко, А. С. Мазинов, Л. Д. Писаренко // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 1 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета “Харьковского политехнического института”. – С. 182-186.