Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2011

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры перехода транзисторно-диодных модулей при дискретном моделировании полупроводниковых преобразователей с помощью пакета MatLab (Simulink) в режимах, когда интервал дискретизации в моделях близок к временам включения и выключения транзистора.
A calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.

Опис

Ключові слова

электромагнитные процессы, мощность, электроснабжение, потери энергии, semiconductor device, transistor, loss power, static loss, dynamic loss, turn-on time, turn off-time, computer simulation, converter, MatLab model

Бібліографічний опис

Жемеров Г. Г. Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей / Г. Г. Жемеров, В. В. Ивахно, О. И. Ковальчук // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2011. – № 4. – С. 21-28.