Моделирование термостимулированных процессов в радиационной технологии модификации материалов облучением

Ескіз

Дата

2011

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Статья посвящена разработке метода определения кинетических параметров радиационных дефектов с помощью термоактивационных методик. Проведенный анализ кривых выхода термостимулированных процессов в твердом аргоне и полученные значения характеристических кинетических параметров электронных ловушек, которые хорошо согласуются с параметрами ловушек аналогичных образцов.
The method of determination of kinetic parameters of radiation defects using the thermoactivated techniques is considered in this article. The yield curves analysis of thermostimulated processes in solid argon has been made and characteristic kinetic parameters of electron traps was obtained, which is in agreement with such parameters of similar samples.

Опис

Ключові слова

параметры кинетические, дефекты радиационные, термоактивация, аргон, ловушка электронная, обработка материалов, решетка кристаллическая, кристаллы ван-дер-ваальсовые, криокристаллы, инертность, химия аналитическая

Бібліографічний опис

Огурцов А. Н. Моделирование термостимулированных процессов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 27. – С. 54-61.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в