Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15323
Title: Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны
Other Titles: Detrmination of the Si-PIN detector active zone thickness using analytic line intensity wavelength dependence of the single-component standards
Authors: Мамалуй, Андрей Александрович
Фомина, Лариса Петровна
Михайлов, Антон Игоревич
Keywords: рентгеновское флуоресцентное излучение; аналитические линии; детектор; вторичный излучатель; X-ray fluorescent radiation; analytical lines; detector; secondary radiator
Issue Date: 2010
Publisher: Сумский государственный университет
Citation: Мамалуй А. А. Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны / А. А. Мамалуй, Л. П. Фомина, А. И. Михайлов // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2010. – Т. 2, № 4. – С. 115-118.
Abstract: Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм. с точностью 10 мкм.
The simple procedure of the detector active zone thickness determination is proposed, in which the fluxes of fluorescent radiation analytical lines from single-component samples excited by monochromatic radiation of a secondary radiator are used as the known fluxes. The superposition of experimental and calculated curves of the analytical line intensity versus the wavelength allows determination of the active zone thickness d = 170 мm with an accuracy of 10 мm.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15323
Appears in Collections:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"
Кафедра "Фізика"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2010_Mamaluy_Opredelenie_tolshchiny.pdf201,58 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.