Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями

Loading...
Thumbnail Image

Date

item.page.orcid

item.page.doi

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

НТУ "ХПИ"

Abstract

На простих модельних системах двоатомних гомо- (N2) та гетероатомних (CO) домішкових молекул досліджені процеси матрично-активованого переносу енергії до матрично-ізольованих центрів в атомарних кріокристалах криптону та аргону. Визначені діапазони найбільш ефективного фотозбудження домішкових молекул електронними збудженнями матриці.
On the simple model systems of diatomic homo- (N2) and heteroatomic (CO) impurity molecules the processes of matrix-assisted energy transfer to matrix-isolated centers in krypton and argon cryocrystals were studied. The energy ranges of most efficient photoexcitation of impurity molecules by electronic excitations of matrix were determined.

Description

Citation

Огурцов А. Н. Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2013. – № 1. – С. 54-59.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By