Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями
Loading...
Date
item.page.orcid
item.page.doi
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
НТУ "ХПИ"
Abstract
На простих модельних системах двоатомних гомо- (N2) та гетероатомних (CO) домішкових молекул досліджені процеси матрично-активованого переносу енергії до матрично-ізольованих центрів в атомарних кріокристалах криптону та аргону. Визначені діапазони найбільш ефективного фотозбудження домішкових молекул електронними збудженнями матриці.
On the simple model systems of diatomic homo- (N2) and heteroatomic (CO) impurity molecules the processes of matrix-assisted energy transfer to matrix-isolated centers in krypton and argon cryocrystals were studied. The energy ranges of most efficient photoexcitation of impurity molecules by electronic excitations of matrix were determined.
On the simple model systems of diatomic homo- (N2) and heteroatomic (CO) impurity molecules the processes of matrix-assisted energy transfer to matrix-isolated centers in krypton and argon cryocrystals were studied. The energy ranges of most efficient photoexcitation of impurity molecules by electronic excitations of matrix were determined.
Description
Citation
Огурцов А. Н. Моделирование матрично-активированного переноса энергии к примесным центрам в технологии модификации материалов электронными возбуждениями / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2013. – № 1. – С. 54-59.