Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428
Title: Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
Authors: Червоный, И. Ф.
Строителева, Н. И.
Егоров, С. Г.
Воляр, Р. М.
Keywords: выращивание; метод Чохральского; примесь; исходное сырье; солнечные элементы; трихлорсилан; crystal; growth; method Chohralsky; impurity
Issue Date: 2011
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130.
Abstract: Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием примесей.
The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428
Appears in Collections:Вісник № 54

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vestnik_HPI_2011_54_Chervonyy_Mekhanizm.pdf272,6 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.