Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
Дата
2011
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в
монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием
примесей.
The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered.
The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered.
Опис
Ключові слова
выращивание, метод Чохральского, примесь, исходное сырье, солнечные элементы, трихлорсилан, crystal, growth, method Chohralsky, impurity
Бібліографічний опис
Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130.