Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17493
Название: Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs
Авторы: Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А.
Фролов, А. В.
Лукьяненко, В. Л.
Гуртовой, М. Ю.
Ключевые слова: тандемные гетероструктуры; оптимальный ток; солнечное излучение; коэффициент поглощения; tandem heterostructure; photoconverters; optimum current
Дата публикации: 2011
Издательство: НТУ "ХПИ"
Библиографическое описание: Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs / Н. И. Слипченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 144-152.
Краткий осмотр (реферат): Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры.
The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17493
Располагается в коллекциях:Вісник № 54

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
vestnik_HPI_2011_54_Slipchenko_Optimizatsiya.pdf502,23 kBAdobe PDFЭскиз
Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.