Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2010

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Встановлені технологічні параметри процесу та розроблені способи одержання силіцій (ІV) оксиду з рисового лушпиння. Проведені термодинамічні, кінетичні та експериментальні дослідження. На підставі термодинамічного аналізу процесу термічної обробки рисового лушпиння (РЛ) встановлена принципова можливість одержання силіцій (ІV) оксиду з РЛ, температурний інтервал існування максимальної концентрації силіцій (ІV) оксиду. На основі проведених експериментальних досліджень визначені технологічні параметри процесу одержання силіцій (ІV) оксиду.
Technological parameters of process have been established and ways of reception dioxide silicon from a rice peel are developed. Are spent thermodynamic, kinetic and experimental researches. For reception dioxide silicon from a rice peel of the raised cleanliness, it is necessary preliminary chemical processing. Based on the spent experimental researches technological parameters of process of reception dioxide silicon have been defined.

Опис

Ключові слова

РШ, пьезоэлектрические свойства, пищевая промышленность, пищевая добавка, частицы, термическая обработка

Бібліографічний опис

Гриднева Т. В. Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи / Т. В. Гриднева, П. И. Сорока, О. А. Тертышный // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2010. – № 10. – С. 124-134.

Зібрання