Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19114
Title: Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
Other Titles: Modeling of physical mechanisms of the occurrence of irreversible refusals of semi-conductor devices under an electromagnetic influence
Authors: Кравченко, Владимир Иванович
Серков, Александр Анатольевич
Бреславец, Виталий Сергеевич
Яковенко, Игорь Владимирович
Keywords: колебания; плазма; сверхрешетки; безстолкновительное угасание; генерирование; oscillations; plasma; semiconductor superlattices; hidrodinamic instability; generation
Issue Date: 2015
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия / В. И. Кравченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2015. – № 51 (1160). – С. 56-59.
Abstract: Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor superstructure have been determined. New mechanism of excitation of surface magnitoplasma of oscillations by the moving radiation source are suggested. The development of theory of interaction of microwave electromagnetic oscillations and charged particles in bounded plasma-like media and the study of kinetic and hydrodynamic beam instabilities in solid – like structures applied in the present microwave electronics is proposed. The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. A new mechanism of initiation of surface at uneven of the conducting solid bodies is proposed. A theory of collisionless damping of surface plasmas in quantum and classical appreciations is elaborated and the conditions of its conversion are determined. The effect of inhomogeneous properties of surface of open radiating structures on the spectral characteristics of transition radiation is studies. It is found that the energy losses related to excitation of volume helicons are equivalent to the energy losses of a magnetic moment created due to the charge rotation.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19114
Appears in Collections:Вісник № 51
Кафедра "Системи інформації"
Публікації співробітників (НДПКІ "Молнія" НТУ "ХПІ")

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vestnik_HPI_2015_51_Kravchenko_Modelirovanie.pdf383,81 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.