Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію
Дата
2010
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПІ"
Анотація
The paper describers the study of semiconductor parameters for elements on the basis of cadmium sulfide which are characterized by the simplicity of production technology and the low production cost. When carrying out the experimental research of CdS-based films photoelectrical characteristics we created Ti/CdS heterocontacts and studied their properties
on the basis of current-voltage characteristics. In the course of open circuit voltage (Uxx = 0,45…0,49 V) and short circuit current (ікз = 4,04…6,32 mA/dm2) measurement we determined photoelectric effect presence.
Опис
Ключові слова
сонячна енергія, альтернативне джерело енергії, фотоелектрична установка, фотоенергетика, фотоелементи, сульфід кадмію, напівпроводники, оптична спектроскопія
Бібліографічний опис
Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію / Г. І. Гринь, Г. М. Панчева, П. А. Козуб та ін. // Інтегровані технології та енергозбереження. - 2010. - № 1. - С. 65-70.