Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением
Вантажиться...
Дата
2011
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
The process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.
Опис
Ключові слова
обработка материалов, модификация кристаллической структуры, радиационное облучение, неупругие процессы, неупругое рассеяние, фотоэлектроны, аргон, фотовозбуждение кристаллов
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2011. – № 1. – С. 41-45.