Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением

Ескіз

Дата

2011

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

The process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.

Опис

Ключові слова

обработка материалов, модификация кристаллической структуры, радиационное облучение, неупругие процессы, неупругое рассеяние, фотоэлектроны, аргон, фотовозбуждение кристаллов

Бібліографічний опис

Огурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2011. – № 1. – С. 41-45.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced