Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2050
Title: Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением
Authors: Огурцов, Александр Николаевич
Масалитина, Наталья Юрьевна
Близнюк, Ольга Николаевна
Keywords: обработка материалов; модификация кристаллической структуры; радиационное облучение; неупругие процессы; неупругое рассеяние; фотоэлектроны; аргон; фотовозбуждение кристаллов
Issue Date: 2011
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Огурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. - 2011. - № 1. - С. 41-45.
Abstract: The process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2050
Appears in Collections:Кафедра "Біотехнологія, біофізика та аналітична хімія"
Кафедра "Фізичної хімії"
Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ITE_2011_1_Ogurtcov_Modelirovaniye neuprugogo.pdf429,09 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.