Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2050
Название: Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением
Авторы: Огурцов, Александр Николаевич
Масалитина, Наталья Юрьевна
Близнюк, Ольга Николаевна
Ключевые слова: обработка материалов; модификация кристаллической структуры; радиационное облучение; неупругие процессы; неупругое рассеяние; фотоэлектроны; аргон; фотовозбуждение кристаллов
Дата публикации: 2011
Издательство: НТУ "ХПИ"
Библиографическое описание: Огурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. - 2011. - № 1. - С. 41-45.
Краткий осмотр (реферат): The process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2050
Располагается в коллекциях:Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"
Кафедра "Фізичної хімії"
Кафедра "Бiотехнологiя, біофізика та аналiтична хiмiя"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
ITE_2011_1_Ogurtcov_Modelirovaniye neuprugogo.pdf429,09 kBAdobe PDFЭскиз
Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.