Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением
Дата
2011
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
The process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.
Опис
Ключові слова
обработка материалов, модификация кристаллической структуры, радиационное облучение, неупругие процессы, неупругое рассеяние, фотоэлектроны, аргон, фотовозбуждение кристаллов
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2011. – № 1. – С. 41-45.