Кинетическая неустойчивость поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера на границе раздела сред
Вантажиться...
Дата
2016
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
В работе, с помощью уравнения Шредингера было исследовано взаимодействие плазменных колебаний с моноэнергетическим потоком заряженных частиц, который проходил сквозь 2D электронный газ. Определен инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, наведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний.
The paper, based on the Schrödinger equation with the potential and boundary conditions for the wave function of an electron is shown that in such a system having the surface electronic states - 2D electron gas. Obtained dispersion equation which relates the tangential component of the momentum of the electron wave function localization, depth and width of the potential well. Found spectrum of surface electron states. Defined increment volatility surface plasmons. The value increment inversely proportional to the time of flight of the particles through a 2D electron system. Analytical problem solving interaction of currents given external electromagnetic radiation, electromagnetic oscillations with its own structures, components semiconductor devices, under the regime of instability (generation) fluctuations.
The paper, based on the Schrödinger equation with the potential and boundary conditions for the wave function of an electron is shown that in such a system having the surface electronic states - 2D electron gas. Obtained dispersion equation which relates the tangential component of the momentum of the electron wave function localization, depth and width of the potential well. Found spectrum of surface electron states. Defined increment volatility surface plasmons. The value increment inversely proportional to the time of flight of the particles through a 2D electron system. Analytical problem solving interaction of currents given external electromagnetic radiation, electromagnetic oscillations with its own structures, components semiconductor devices, under the regime of instability (generation) fluctuations.
Опис
Ключові слова
электромагнитные поля, колебания, полупроводник, поток заряженных частиц, переходное излучение, поверхностные волны, проводящее твердое тело, энергия излучения, electromagnetic fields, oscillations, plasma, semiconductor superlattices
Бібліографічний опис
Кинетическая неустойчивость поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера на границе раздела сред / В. И. Кравченко [и др.] // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Темат. вип. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of National Technical University "KhPI" : coll. of sci. papers. Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage. – Харків : НТУ "ХПІ", 2016. – № 14 (1186). – С. 60-64.