Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2341
Название: Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование
Авторы: Огурцов, Александр Николаевич
Ключевые слова: кристаллическая решетка; инертный газ; атомарные криокристаллы; экситоны
Дата публикации: 2005
Издательство: НТУ "ХПИ"
Библиографическое описание: Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование / А. Н. Огурцов // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2005. – № 4. – С. 66-75.
Краткий осмотр (реферат): The article is devoted to the radiation technologies of lattice modification of model crystals of rare gases, with a focus on processes of subthreshold radiation-induced defect formation, stimulated by exciton self-trapping. The proposed luminescence-kinetic technique of analysis of dose curves allows the numerical modeling of the elementary inelastic processes and provides the way for analytical control and certification of Xe, Kr, Ar and Ne crystals.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2341
Располагается в коллекциях:Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"
Кафедра "Бiотехнологiя, біофізика та аналiтична хiмiя"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
ITE_2005_4_Ogurtsov_Radiatsionnyye nanotekhnologii.pdf673,08 kBAdobe PDFЭскиз
Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.