Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2341
Title: Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование
Authors: Огурцов, Александр Николаевич
Keywords: кристаллическая решетка; инертный газ; атомарные криокристаллы; экситоны
Issue Date: 2005
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование / А. Н. Огурцов // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2005. – № 4. – С. 66-75.
Abstract: The article is devoted to the radiation technologies of lattice modification of model crystals of rare gases, with a focus on processes of subthreshold radiation-induced defect formation, stimulated by exciton self-trapping. The proposed luminescence-kinetic technique of analysis of dose curves allows the numerical modeling of the elementary inelastic processes and provides the way for analytical control and certification of Xe, Kr, Ar and Ne crystals.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2341
Appears in Collections:Кафедра "Бiотехнологiя, біофізика та аналiтична хiмiя"
Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ITE_2005_4_Ogurtsov_Radiatsionnyye nanotekhnologii.pdf673,08 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.