Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование
Вантажиться...
Дата
2005
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
The article is devoted to the radiation technologies of lattice modification of model
crystals of rare gases, with a focus on processes of subthreshold radiation-induced defect formation, stimulated by exciton self-trapping. The proposed luminescence-kinetic technique of analysis of dose curves allows the numerical modeling of the elementary inelastic processes and provides the way for analytical control and certification of Xe, Kr, Ar and Ne crystals.
Опис
Ключові слова
кристаллическая решетка, инертный газ, атомарные криокристаллы, экситоны
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование / А. Н. Огурцов // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2005. – № 4. – С. 66-75.