Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование

Ескіз

Дата

2005

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

The article is devoted to the radiation technologies of lattice modification of model crystals of rare gases, with a focus on processes of subthreshold radiation-induced defect formation, stimulated by exciton self-trapping. The proposed luminescence-kinetic technique of analysis of dose curves allows the numerical modeling of the elementary inelastic processes and provides the way for analytical control and certification of Xe, Kr, Ar and Ne crystals.

Опис

Ключові слова

кристаллическая решетка, инертный газ, атомарные криокристаллы, экситоны

Бібліографічний опис

Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 1. Локализация электронных возбуждений и подпороговое дефектообразование / А. Н. Огурцов // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2005. – № 4. – С. 66-75.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced