Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2415
Title: Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы
Authors: Огурцов, Александр Николаевич
Близнюк, Ольга Николаевна
Keywords: криокристаллы атомарные; электронная подсистема; электроны; экситоны; наномодификации; люминесценция; двукратные молекулярные ионы; метод спектроскопии; схема релаксации
Issue Date: 2006
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2006. – № 3. – С. 47-56.
Abstract: Recombination of radiation-induced created charge carriers results in formation of self-trapped molecular centers, which stimulate the creation of nanoscale defects of Frenkel type in rare-gas solids. In combination with luminescence-kinetic analysis of processes of accumulation of radiation-induced crystal lattice defects the recombination mechanisms may be used for controlled modification of sample crystal structure and for analytical control and certification of growing rare-gas cryocrystals
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2415
Appears in Collections:Кафедра "Біотехнологія, біофізика та аналітична хімія"
Кафедра "Фізичної хімії"
Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ITE_2006_3_Ogurtsov_Radiatsionnyye nanotekhnologii.pdf611,59 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.