Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2415
Название: Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы
Авторы: Огурцов, Александр Николаевич
Близнюк, Ольга Николаевна
Ключевые слова: криокристаллы атомарные; электронная подсистема; электроны; экситоны; наномодификации; люминесценция; двукратные молекулярные ионы; метод спектроскопии; схема релаксации
Дата публикации: 2006
Издательство: НТУ "ХПИ"
Библиографическое описание: Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2006. – № 3. – С. 47-56.
Краткий осмотр (реферат): Recombination of radiation-induced created charge carriers results in formation of self-trapped molecular centers, which stimulate the creation of nanoscale defects of Frenkel type in rare-gas solids. In combination with luminescence-kinetic analysis of processes of accumulation of radiation-induced crystal lattice defects the recombination mechanisms may be used for controlled modification of sample crystal structure and for analytical control and certification of growing rare-gas cryocrystals
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2415
Располагается в коллекциях:Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"
Кафедра "Фізичної хімії"
Кафедра "Бiотехнологiя, біофізика та аналiтична хiмiя"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
ITE_2006_3_Ogurtsov_Radiatsionnyye nanotekhnologii.pdf611,59 kBAdobe PDFЭскиз
Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.