Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы
Дата
2006
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Recombination of radiation-induced created charge carriers results in formation of self-trapped molecular centers, which stimulate the creation of nanoscale defects of Frenkel type in rare-gas solids. In combination with luminescence-kinetic analysis of processes of accumulation of radiation-induced crystal lattice defects the recombination mechanisms may be used for controlled modification of sample crystal structure and for analytical control and certification of growing rare-gas cryocrystals
Опис
Ключові слова
криокристаллы атомарные, электронная подсистема, электроны, экситоны, наномодификации, люминесценция, двукратные молекулярные ионы, метод спектроскопии, схема релаксации
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2006. – № 3. – С. 47-56.