Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы
Вантажиться...
Дата
2006
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Recombination of radiation-induced created charge carriers results in formation of self-trapped molecular centers, which stimulate the creation of nanoscale defects of Frenkel type in rare-gas solids. In combination with luminescence-kinetic analysis of processes of accumulation of radiation-induced crystal lattice defects the recombination mechanisms may be used for controlled modification of sample crystal structure and for analytical control and certification of growing rare-gas cryocrystals
Опис
Ключові слова
криокристаллы атомарные, электронная подсистема, электроны, экситоны, наномодификации, люминесценция, двукратные молекулярные ионы, метод спектроскопии, схема релаксации
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2006. – № 3. – С. 47-56.