Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂
Вантажиться...
Дата
2012
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Наука
Анотація
Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO₂. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO₂. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO₂.
Опис
Ключові слова
диоксид гафния, модификация моноклинная, эпитаксия гидридная, наслаивание молекулярное, осаждение импульсное, осаждение лазерное
Бібліографічний опис
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂ / А. Г. Багмут [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2012. – Т. 38, вып. 1. – С. 45-50.