Учет влияния времени коммутации полупроводниковых приборов на форму импульсов напряжения на нагрузке импульсного трансформаторного источника напряжения
Вантажиться...
Дата
2008
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Розглянутo вплив часу комутації напівпровідникових приладів на форму, амплітудні і часові параметри імпульсів напруги на навантаженні трансформаторного джерела. Встановлена залежність тривалості фронту імпульсу від власних параметрів джерела і часу комутації напівпро-відникових приладів.
Influence of time of commutation of semiconductor devices is considered on a form, peak and temporal parameters of pulses of voltage in a load of transformer source. Dependence of duration of pulse front is set on the own parameters of source and time of commutation of semiconductor devices.
Influence of time of commutation of semiconductor devices is considered on a form, peak and temporal parameters of pulses of voltage in a load of transformer source. Dependence of duration of pulse front is set on the own parameters of source and time of commutation of semiconductor devices.
Опис
Ключові слова
схема Ларионова, схема Греца, сетевой выпрямитель, электрофизические установки, коэффициент затухания контура, дифференциальное уравнение
Бібліографічний опис
Борцов А. В. Учет влияния времени коммутации полупроводниковых приборов на форму импульсов напряжения на нагрузке импульсного трансформаторного источника напряжения / А. В. Борцов // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2008. – № 21. – С. 20-26.