Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2007

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Експериментально доведено, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на напівпровідникові прилади (кремнієві діоди) супроводжується відхиленням їх вольт-амперних характеристик (появою зворотних відказів). Показано, що такого роду зміни робочих характеристик приладів пов'язано з генерацією власних електромагнітних коливань напівпровідникових комплектуючих приладів при їх взаємодії з токами, наведеними зовнішнім випромінюванням.
It has been experimentally proved that pulse electromagnetic radiation effect (EMC) on semiconductor devices (silicon diodes) is accompanied by deviation of their volt-ampere characteristics (appearance of reverse refusals). It was shown that such a type of change of working characteristics of the devices is connected with generator of natural electromagnetic oscillators of semiconductors components with currents induced by external radiation.

Опис

Ключові слова

радиоэлектронная аппаратура, необратимые отказы, обратимые отказы, диоды, диэлектрическая проницаемость, отрицательное сопротивление

Бібліографічний опис

Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов / В. И. Кравченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2007. – № 20. – С. 13-20.