Високотемпературні теплоізоляційні матеріали на основі віскерів карбіду кремнію, вирощених методом хімічних транспортних реакцій

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2018

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПІ"

Анотація

Експериментально розроблена продуктивна технологія вирощування віскерів карбіду кремнію, що дозволить використовувати вату з монокристалів SiC у якості теплоізоляційного та теплозахисного матеріалу. Визначені умови, необхідні для формування віскерів SiC за механізмом пара – рідина – кристал, та описана установка для їхнього отримання. Проведені дослідження структури та фізичних властивостей цих монокристалів. Також розглянуті можливості подальшого застосування таких матеріалів.
In this article a productive technology for silicon carbide whiskers grow ing is presented and experimentally carried out. That would allow to use SiC nanowire materials for thermal insulation and thermal protection. Conditions necessary for creating SiC whiskers on the vapor – liquid – solid method are determined, and the equipment for their obtaining is considered. The structure and physical properties of these nanowires are studied. The possibilities for the further application of those materials are considered as well.

Опис

Ключові слова

ниткоподібні монокристали, віскери, ПРК-механізм, рівняння Гіббса-Томсона, thermal insulation, silicon carbide

Бібліографічний опис

Сіньковський А. С. Високотемпературні теплоізоляційні матеріали на основі віскерів карбіду кремнію, вирощених методом хімічних транспортних реакцій / А. С. Сіньковський, М. Ф. Янюк, О. В. Рибак // Високі технології в машинобудуванні = High technologies in machine engineering : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – Вип. 1. – С. 131-138.