Влияние стороннего электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковой сверхрешетки

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2013

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей.
The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor superstructure have been determined. The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields.

Опис

Ключові слова

импульсное электромагнитное излучение, неустойчивость собственных колебаний, приемники излучения, величина энергии излучения, фазовая скорость волны, скорость заряженной частицы, pulsed electromagnetic radiation, semiconductor superstructure

Бібліографічний опис

Кравченко В. И. Влияние стороннего электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковой сверхрешетки / В. И. Кравченко, Ф. В. Лосев, И. В. Яковенко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2013. – № 27. – С. 89-95.