Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм
Вантажиться...
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Львівський національний університет ім. Івана Франка
Анотація
Досліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких
плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe<Na>, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.
The influence of doping with sodium and deviation from stoichiometry under doping with sodium on the galvanomagnetic properties of lead telluride polycrystals was studied in the temperature range 77-300 K. It was shown that the introduction of both impurity and native defects into PbTe leads to a significant decrease in charge carrier (hole) mobility due to an increased contribution of scattering by defects of the crystal structure. It was established that in epitaxial thin films prepared by thermal evaporation of PbTe<Na> crystals in vacuum, one can attain hole concentration up to p77~5×1019 cm-3 and substantially increase charge carrier mobility in comparison with bulk crystals.
The influence of doping with sodium and deviation from stoichiometry under doping with sodium on the galvanomagnetic properties of lead telluride polycrystals was studied in the temperature range 77-300 K. It was shown that the introduction of both impurity and native defects into PbTe leads to a significant decrease in charge carrier (hole) mobility due to an increased contribution of scattering by defects of the crystal structure. It was established that in epitaxial thin films prepared by thermal evaporation of PbTe<Na> crystals in vacuum, one can attain hole concentration up to p77~5×1019 cm-3 and substantially increase charge carrier mobility in comparison with bulk crystals.
Опис
Ключові слова
телурид свинцю, полікристали, легування, натрій, нестехіометрія, тонка плівка, електропровідність, коефіцієнт Холла, рухливість носіїв заряду, lead telluride, polycrystals, doping, sodium, nonstoichiometry, composition, thin film, electrical conductivity, Hall coefficient, charge carrier mobility
Бібліографічний опис
Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм / С. І. Ольховська [та ін.] // Вісник Львівського університету. Серія фізична : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ ім. І. Франка, 2010. – Вип. 45. – С. 165-170.