Размерные эффекты в тонких пленках PbSe
Вантажиться...
Дата
2012
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Институт термоэлектричества Национальной академии наук
Анотація
Объекты исследования – тонкие пленки PbSe толщинами d = 5.5 – 410 нм, выращенные методом термического испарения в вакууме стехиометрических кристаллов p-PbSe на подложках KCl и покрытые слоем EuSe. Получены толщинные зависимости коэффициента Зеебека, коэффициента Холла, электропроводности, подвижности носителей заряда и термоэлектрической мощности при комнатной температуре. Наблюдается инверсия знака проводимости с p на n при увеличении толщины пленки до ~ 20 нм. На d-зависимостях транспортных свойств можно выделить монотонную и осциллирующую составляющие, наличие которых связывается с проявлением классического и квантового размерных эффектов, соответственно. Определены периоды осцилляций Δd для электронного и дырочного газов. Теоретический расчет Δd в предположении размерного квантования электронного и дырочного спектров и оценка монотонной компоненты электропроводности с использованием теории Фукса-Зондхеймера находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.
Опис
Ключові слова
тонкие пленки, PbSe, проводимость, электропроводность
Бібліографічний опис
Размерные эффекты в тонких пленках PbSe / Е. И. Рогачева [и др.] // Термоэлектричество. – 2012. – № 4. – С. 27-35.