Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4095
Title: Процесс водородного восстановления трихлорсилана
Authors: Червоный, И. Ф.
Реков, Ю. В.
Головко, О. П.
Keywords: кремний; прутки-подложки; носители заряда; легирование; примеси; нагрев; silicon; slim-rods; charge carriers; alloying; heating; admixtures
Issue Date: 2013
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Червоный И. Ф. Процесс водородного восстановления трихлорсилана / И. Ф. Червоный, Ю. В. Реков, О. П. Головко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2013. – № 4 (978). – С. 146-151.
Abstract: Представлены результаты теоретического исследования о предварительном нагреве прутков-подложек в процессе водородного восстановления трихлорсилана– «Siemens-процесса». Обсуждаются применение легированных прутков-подложек для производства поликристаллического кремния с заданным уровнем концентрации легирующей примеси. В режиме генерации собственных носителей заряда, при нагревании кремния полупроводниковой чистоты в кристаллической решетке генерируются собственные носители заряда, которые обеспечивают определенную, в зависимости от температуры, электрическую проводимость. При использовании легированных прутков-подложек осуществляется расчет концентрации заданного типа примеси, с учетом величины нарощенного слоя поликристаллического кремния и перераспределения примеси между прутком-подложкой и объемом получаемых стержней поликристаллического кремния
Presented results of theoretical research about theprevious heating of slim-rods in the process of hydrogen renewal of trichlorosilane - "Siemens-process".. Applications of the alloyed slim-rods come into question for the production of polycrystallinesilicon with the set level of concentration of alloying admixture. Essence of "Siemens-process" consists inediting in the reactor of the silicon slim-rods, their warming-up to the temperature ~1500 Кand next hydrogen renewal of trichlorosilane on the surface of slim-rods. The warming-up of slim-rods is produced by a direct current. The size of electric resistance of slim-rods can be created by two variants - generation of own charge carriers or introduction to slim-rods of necessary amount of alloying element. In the mode of generation of own charge carriers, at heating of silicon of semiconductor cleanness own charge carriers which provide certain are generated in a crystalline grate, depending on a temperature,electric conductivity. At the use of the alloyed slim-rods the calculation of concentration of the set type of admixture is carried out, taking into accountthe size of the got layer of полікристалічногоsilicon and redistribution of admixture between slim-rods and by volume of the got bars of полікристалічногоsilicon
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4095
Appears in Collections:Вісник № 04

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vestnik_HPI_2013_4_Chervonyy_Protsess vodorodnogo.pdf159,93 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.