Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/42729
Назва: Влияние генерации колебаний полупроводниковых структур элементной базы технических средств на параметры внутренней электромагнитной совместимости в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
Інші назви: Influence of mode of oscillation generation On electromagnetic compatibility of semiconductor structures in conditions of action of electromagnetic radiation
Автори: Князев, Владимир Владимирович
Кравченко, Владимир Иванович
Ваврив, Людмила Владиславовна
Яковенко, Игорь Владимирович
Ключові слова: электромагнитные поля; колебания; неустойчивость; заряженные частицы; поверхностные волны; electromagnetic fields; oscillations; instability; charged particles; surface waves
Дата публікації: 2019
Видавництво: Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
Бібліографічний опис: Влияние генерации колебаний полупроводниковых структур элементной базы технических средств на параметры внутренней электромагнитной совместимости в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения / В. В. Князев [и др.] // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2019. – № 18. – С. 20-25.
Короткий огляд (реферат): В работе показано, что генерация колебаний в полупроводниковых структурах технических средств, вызванное воздействи-ем на них внешнего электромагнитного излучения непосредственно связано с затуханием плазмонов и его преобразованием в волны Ван-Кампена, сформулированы граничные условия для функции распределения частиц в потоке, получены выражения для декремента колебаний и построена кинетическая теория взаимодействия поверхностных плазмонов с электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Полученные в работе выражения для декрементов(временных характеристик степени затухания колебаний) позволяют определять мощность их излучения в условиях воздействия внешнего электромагнитного поля. Этот процесс характеризуется искажением рабочих(вольтамперных) характеристик полупроводниковых при-боров и оказывает существенное влияние на их электромагнитную совместимость. Получены расчетные соотношения, связывающие величину декремента(инкремента) неустойчивости поверхностных колебаний в полупроводниковых структурах, обусловленные наличием наведенных сторонним электромагнитным излучением токов с параметрами полупроводниковых структур: концентрацией свободных носителей, диэлектрической проницаемостью, размерами структуры. Сравнительный анализ существующих экспериментальных и расчетных данных для типичных значений параметров полупроводниковых приборов при воздействии импульсного электромагнитного излучения показывает, что величина энергии излучения( затухания) колебаний определяется одним порядком величины и имеет общие тенденции изменения в зависимости от величин физических параметров комплектующих материалов и воздействующего импульса напряжения.
It is shown in this work that damping ofplasmons is caused by their transformation into van Kampen waves, boundary conditions for function of distribution of particles in flow are formulated, expressions for oscillation decrement are obtained and kinetic theory of interaction of surface plasmons with electron flow crossing an interface has been formed. The expressions for decrements (time char-acteristics of degree of oscillation damping) obtained in the work allow determining power of their radiation in conditions of action of external electromagnetic field. This process is characterized bydistortion of performance (volt-ampere) characteristics of semiconduc tor devices and causes significant influence on their electromagnetic compatibility. Calculated relations connecting the value of dec-rement (increment) of instability of surface oscillations in semiconductor structures, caused by presence of currents induced by extra-neous electromagnetic radiation, with parameters of semiconductor structures: concentration of free carriers, permittivity, structure dimensions have been obtained. Comparative analysis of existing experimental and calculated data for typical values of parameters of semiconductor devices under action ofpulsed electromagnetic radiation shows that the value of energy of radiation (attenuation) of oscillations is determined by the same order of the value and has common tendencies of variation depending on the values of physical parameters of component materials and applied voltage pulse.
ORCID: orcid.org/0000-0002-7119-7790
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/42729
Розташовується у зібраннях:Вісник № 18

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
vestnik_KhPI_2019_18_Knyazev_Vliyanie.pdf393,87 kBAdobe PDFЕскіз
Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики  Google Scholar



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.