Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp
Від 2082 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.
Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.
Переглянути
158 результатів
Фільтри
Налаштування
Результати пошуку
Документ Multilayer tungsten/quasi-crystal Ti-Zr-Ni systems as promising materials for protective elements in a fusion reactor(Ukrainian Nuclear Society National Science Center "Kharkiv Institute of Physics and Technology" NAS of Ukraine, 2024) Malykhin, S. V.; Kopylets, I. A.; Surovitskiy, S. V.; Konotopsky, D. V.; Lytvinyuk, L. E.Документ Review of methods for synthesis, preparation of powders and pellets of materials based on rare earth elements with titanium, hafnium and zirconium as promising neutron absorbers for nuclear reactors(Ukrainian Nuclear Society National Science Center "Kharkiv Institute of Physics and Technology" NAS of Ukraine, 2024) Chernov, I. O.; Malykhin, S. V.Документ Методичні вказівки до практичних занять з навчальної дисципліни "Новітні магнітні та напівпровідникові матеріали та пристрої"(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2024) Шипкова, Ірина Геннадіївна; Веретеннікова, Юлія ІгорівнаОсновною метою практичних занять з навчальної дисципліни «Новітні магнітні та напівпровідникові матеріали та пристрої» є формування у студентів навичок свідомого вибору робочих формул, що необхідні для знаходження низки характеристик магнітних та напівпровідникових матеріалів, та прийомів користування цими формулами. Для досягнення цієї мети в прикладах розв’язання задач в стислій формі надано деякі теоретичні відомості, що полегшують вибір алгоритму рішення.Документ Effect of aging on thermoelectric properties of the Bi2Te3 polycrystals and thin films(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2021) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Novak, K. V.; Sipatov, A. Yu.; Khramova, T. I.; Saenko, S. A.The temperature dependences (77-300 K) of the thermoelectric (TE) properties (the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, Hall coefficient RH, Hall charge mobility μH>, and TE power factor P) were studied for freshly prepared and for exposed to air at room temperature during 5 years p-Bi2Te3 (60.0 at.% Te) and n-Bi2Te3 (62.8 at.% Te) polycrystals and thin films grown from them by thermal evaporation in vacuum. It was found that after aging, in the p- and n-Bi2Te3 bulk crystals and in the n-type film obtained from the n-Bi2Te3 crystal, type of conductivity is reserved but the p-type film obtained from the p-Bi2Te3 crystal, change the type of conductivity from hole to electronic. The activation energies of possible defect states were determined using the RH(T) dependences. After aging, at the temperatures close to room temperature, the p values of n-Bi2Te3 and p-Bi2Te3 polycrystals decreases by ~ 20 %, but p values of the n-type film grown from n-Bi2Te3 crystal increases by 20-30 %. In the p-type film obtained from p-Bi2Te3 polycrystal, and having changed the type of conductivity after aging, the p values exceed the p values of a film obtained from n-Bi2Te3 polycrystal by ~ 35 % at 250 K and by 25 % at 300 K, remaining at these temperatures below the p values for n-Bi2Te3 polycrystal after aging by ~ 15 %.Документ Growth and Structural Characterization of Thermally Evaporated Topological Insulator Bi2Se3 Thin Films(NanoCOFC, 2018) Rogachova, E. I.; Fedorov, A. G.; Krivonogov, S. I.; Mateychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.; Garbuz, Alexander G.; Sipatov, A. Yu.Документ Кінетичні властивості полікристалів Bi1-ХSbХ у інтервалі концентрацій х = 0.0475 – 0.095(Львівський національний університет імені Івана Франка, 2017) Богданов, Юрій Сергійович; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена ІванівнаПублікація Size effects and thermoelectric properties of Bi0.98Sb0.02 thin films(Institute of Thermoelectricity National Academy of Sciences of Ukraine, 2020) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Orlova, D. S.; Nashchekina, O. N.; Sipatov, A. Yu.; Lisachuk, G. V.The room-temperature dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electrical conductivity σ, the Hall coefficient RH, and the thermoelectric power factor P = S2·σ) on the thickness (d = 5 - 250 nm) of the Bi0.98Sb0.02 solid solution thin films grown on mica substrates by thermal evaporation in vacuum from a single source were obtained. It is shown that the monotonic component of the σ(d) dependence is well described within the framework of the Fuchs-Sondheimer theory for the classical size effect. The presence of an oscillating component in the d-dependences of σ, S, RH and S2·σ is attributed to the manifestation of the quantum size effect, and the experimentally determined period of quantum oscillations Δd = 45 ± 5 nm is in good agreement with the Δd value calculated theoretically within the framework of the model of an infinitely deep potential well. Bibl. 77, Fig. 1.Публікація Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films(Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.Документ Спосіб виготовлення багатошарових рентгенівських дзеркал(ДП "Український інститут промислової власності", 2011) Першин, Юрій Павлович; Севрюкова, Вікторія Анатоліївна; Зубарєв, Євгеній Миколайович; Кондратенко, Валерій ВолодимировичСпосіб виготовлення багатошарових рентгенівських дзеркал, який полягає у вакуумуванні установки, напуску розпиляючого газу до робочого тиску, подачі напруги на мішені, які розпиляються, для підпалу розрядів і почерговому нанесенні шарів двох або більше речовин на підкладку, який відрізняється тим, що при нанесенні шарів робочий тиск і відстань мішень-підкладка вибирають так, щоб їх добуток знаходився в межах від 3 до 20Па×мм. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що робочий тиск розпиляючого газу змінюють в межах від 0,1 до 0,5Па при фіксованій відстані мішень-підкладка. 3. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що відстань між мішенню і підкладкою вибирають в межах від 0,5 до 2 довжин вільного пробігу атомів газу при фіксованому тиску розпиляючого газу.Документ Взрывная кристаллизация плёнок аморфного кобальта в сильном неоднородном магнитном поле(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Зубарев, Евгений Николаевич; Самофалов, Владимир Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Севрюков, Д. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Мамон, В. В.; Храмова, Татьяна Ивановна; Сабов, Т. М.; Дубиковский, А. В.; Оберемок, А. С.; Косуля, О. В.Исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных плёнок кобальта, выращенных на аморфном углероде в отсутствии и при наличии сильного неоднородного магнитного поля. Установлено, что ключевым фактором для реализации взрывной кристаллизации является углерод, поступающий в плёнку кобальта из работающего С-магнетрона во время осаждения слоя кобальта. Легирование растущей плёнки кобальта атомами углерода приводит к затягиванию стадии существования кобальта в аморфно-кластерном состоянии до большей номинальной толщины плёнки. Магнитное поле не оказывает влияния на содержание углерода в плёнках кобальта, которое примерно одинаково и составляет 3–5 ат.%. Показано, что неоднородное магнитное поле увеличивает критическую толщину, при которой начинается взрывная кристаллизация. В плёнках, полученных без магнитов в вакуумной камере, взрывная кристаллизация реализуется в интервале номинальных толщин от 8,0 до 8,5 нм. В плёнках, полученных непосредственно на магните, процесс взрывной кристаллизации происходит в интервале номинальных толщин от 10,0 до 10,5 нм.