Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4746
Название: Growth and crystallization of molybdenum layers on amorphous silicon
Авторы: Zubarev, E. N.
Kondratenko, V. V.
Pershyn, Yu. P.
Sevryukova, V. A.
Ключевые слова: cluster; interfaces; crystallization; transmission electron microscopy
Дата публикации: 2011
Издательство: Elsevier Ltd
Библиографическое описание: Growth and crystallization of molybdenum layers on amorphous silicon / E. N. Zubarev [et al.] // Thin Solid Films. – 2011. – Vol. 520. – P. 314-319.
Краткий осмотр (реферат): The structure of molybdenum layers deposited by direct current magnetron sputtering onto the amorphous silicon (a-Si) layers as function of nominal layer thickness was studied by methods of transmission electron microscopy. Molybdenum layers with nominal thickness 1.5btMo nomb1.9 nm consist of clusters which should be considered as a transient state between strongly disordered (amorphous) state and crystal one. A transition from clusters to polycrystals takes place within the thickness range of 1.9btMo nomb2.5 nm. Resulting Mo crystallites have an inequiaxial form with dimensions of (3–4)×(15–30)nm2 and consist of blocks. The lateral axis of inequiaxial crystallites is parallel to 110 direction. As the metal layer thickness increases Mocrystallites take the more regular form at the expense of recrystallization.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4746
Располагается в коллекциях:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2011_Zubarev_Growth_and.pdf1,2 MBAdobe PDFЭскиз
Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики  Google Scholar



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.