Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorZhuravel, I. O.en
dc.contributor.authorBugayev, Ye. A.en
dc.contributor.authorKonotopsky, L. E.en
dc.contributor.authorZubarev, E. M.en
dc.contributor.authorSevryukova, V. A.en
dc.contributor.authorKondratenko, V. V.en
dc.date.accessioned2014-03-13T14:33:22Z-
dc.date.available2014-03-13T14:33:22Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationStructural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318.en
dc.identifier.urihttp://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756-
dc.description.abstractAmorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.en
dc.description.abstractИзготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiCru
dc.language.isoen-
dc.publisherНаучный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украиныru
dc.subjectmultilayeren
dc.subjectdiffusionen
dc.subjectnanocrystalsen
dc.subjectintermixing layersen
dc.subjectextreme ultra violeten
dc.subjectмногослойная композицияru
dc.subjectдиффузияru
dc.subjectнанокристаллыru
dc.subjectперемешанные зоныru
dc.subjectвакуумный ультрафиолетru
dc.titleStructural transformation in C/Si multilayer after annealingen
dc.typeArticleen
Appears in Collections:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2012_Vishnyakov_Aperiodicheskiye.pdf2,16 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.