Please use this identifier to cite or link to this item:
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756
Title: | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing |
Authors: | Zhuravel, I. O. Bugayev, Ye. A. Konotopsky, L. E. Zubarev, E. M. Sevryukova, V. A. Kondratenko, V. V. |
Keywords: | multilayer; diffusion; nanocrystals; intermixing layers; extreme ultra violet; многослойная композиция; диффузия; нанокристаллы; перемешанные зоны; вакуумный ультрафиолет |
Issue Date: | 2012 |
Publisher: | Научный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украины |
Citation: | Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318. |
Abstract: | Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer. Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC |
URI: | http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756 |
Appears in Collections: | Кафедра "Фізика металів і напівпровідників" |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
2012_Vishnyakov_Aperiodicheskiye.pdf | 2,16 MB | Adobe PDF | ![]() View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.