Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
Дата
2012
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Научный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украины
Анотація
Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC
Опис
Ключові слова
multilayer, diffusion, nanocrystals, intermixing layers, extreme ultra violet, многослойная композиция, диффузия, нанокристаллы, перемешанные зоны, вакуумный ультрафиолет
Бібліографічний опис
Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318.