Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
Authors: Zhuravel, I. O.
Bugayev, Ye. A.
Konotopsky, L. E.
Zubarev, E. M.
Sevryukova, V. A.
Kondratenko, V. V.
Keywords: multilayer; diffusion; nanocrystals; intermixing layers; extreme ultra violet; многослойная композиция; диффузия; нанокристаллы; перемешанные зоны; вакуумный ультрафиолет
Issue Date: 2012
Publisher: Научный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украины
Citation: Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318.
Abstract: Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC
Appears in Collections:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2012_Vishnyakov_Aperiodicheskiye.pdf2,16 MBAdobe PDFThumbnail
Show full item record  Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.