Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52043
Title: Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва
Other Titles: Influence of operating temperature on efficiency Chinese made silicon solar cells
Authors: Зайцев, Роман Валентинович
Кіріченко, Михайло Валерійович
Хрипунов, Геннадій Семенович
Зайцева, Лілія Василівна
Keywords: коефіцієнт корисної дії; вихідні параметри; світлові діодні характеристики; сонячне випромінювання; електрична енергія; operating temperature; efficiency; output parameters; light diode characteristics; crystalline silicon
Issue Date: 2017
Publisher: Інститут відновлюваної енергетики НАН України
Citation: Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва / Р. В. Зайцев [та ін.] // Відновлювана енергетика. – 2017. – № 3. – С. 35-41.
Abstract: Досліджено вплив робочої температури на ефективність кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Показано, що, не дивлячись на високу вихідну ефективність, при підвищенні робочої температури в досліджуваних фотоелектричних перетворювачах спостерігається істотне зниження вихідних параметрів у порівнянні з промисловими аналогами європейського виробництва. При зростанні робочої температури був встановлений нехарактерний спад щільності струму короткого замикання. Методом комп'ютерного моделювання було показано, що це обумовлено не лише традиційним зростанням щільності діодного струму насичення, а й зниженням шунтуючого опору.
The influence of operating temperature on efficiency of industrial samples of silicon photovoltaic devices made in China has been investigated. It was shown that despite the high initial efficiency, the tests of the photovoltaic devicescarried out at higher operating temperatures have revealed a significant reduction of output parameters compared with the industrial analogs made in Europe. With the operating temperature increasing, an uncharacteristic decline in short-circuit current density was registered. As it was shown the last is due not only to the inherent increase in the density of the diode saturation current, but also is the result of the reduction of shunt resistance.
ORCID: orcid.org/0000-0003-2286-8452
orcid.org/0000-0002-4847-506Х
orcid.org/0000-0002-6448-5938
orcid.org/0000-0003-4405-1531
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52043
Appears in Collections:Кафедра природничих наук

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
VE_2017_3_Zaitsev_Vplyv.pdf467,88 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.