Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52198
Title: Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины
Authors: Орлова, Дарья Сергеевна
Рогачева, Елена Ивановна
Сипатов, А. Ю.
Волобуев, В. В.
Федоров, А. Г.
Keywords: эпитаксиальные тонкие пленки; длина свободного пробега электрона; параметр зеркальности; теория Фукса-Зондгеймера; electrical conductivity; epitaxial thin films; mean free path of electrons; surface scattering coefficient
Issue Date: 2010
Publisher: Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна
Citation: Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины / Д. С. Орлова [и др.] // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Сер. : Фізика : зб. наук. пр. – Харків : ХНУ, 2018. – № 915, вип. 14. – С. 60-64.
Abstract: При комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).
The influence of thickness (d = 7-300 нм) on the electrical conductivity s of the epitaxial thin films which were prepared by thermal evaporation of Bi-Sb solid solution crystals with the Sb concentration 9 at.% in the vacuum (10-5-10-6 Pa) onto mica substrates was studied at the room temperature. It was established that the growth of the film thickness up to d ≈ 200 nm caused a monotonic increase of the electrical conductivity, after that the thickness growth didn’t change the s value, i.e. the classical size effect was presented. Analysis of experimental data in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory allowed to estimate the mean free path of electrons (l = 900±50 нм) and the surface scattering coefficient (p = 0.55±0.05).
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52198
Appears in Collections:Кафедра "Фізика"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
visnyk_KhNU_2010_915_14_Orlova_Zavisimost.pdf592,29 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.