Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины
Вантажиться...
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна
Анотація
При комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).
The influence of thickness (d = 7-300 нм) on the electrical conductivity s of the epitaxial thin films which were prepared by thermal evaporation of Bi-Sb solid solution crystals with the Sb concentration 9 at.% in the vacuum (10-5-10-6 Pa) onto mica substrates was studied at the room temperature. It was established that the growth of the film thickness up to d ≈ 200 nm caused a monotonic increase of the electrical conductivity, after that the thickness growth didn’t change the s value, i.e. the classical size effect was presented. Analysis of experimental data in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory allowed to estimate the mean free path of electrons (l = 900±50 нм) and the surface scattering coefficient (p = 0.55±0.05).
The influence of thickness (d = 7-300 нм) on the electrical conductivity s of the epitaxial thin films which were prepared by thermal evaporation of Bi-Sb solid solution crystals with the Sb concentration 9 at.% in the vacuum (10-5-10-6 Pa) onto mica substrates was studied at the room temperature. It was established that the growth of the film thickness up to d ≈ 200 nm caused a monotonic increase of the electrical conductivity, after that the thickness growth didn’t change the s value, i.e. the classical size effect was presented. Analysis of experimental data in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory allowed to estimate the mean free path of electrons (l = 900±50 нм) and the surface scattering coefficient (p = 0.55±0.05).
Опис
Ключові слова
эпитаксиальные тонкие пленки, длина свободного пробега электрона, параметр зеркальности, теория Фукса-Зондгеймера, electrical conductivity, epitaxial thin films, mean free path of electrons, surface scattering coefficient
Бібліографічний опис
Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины / Д. С. Орлова [и др.] // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Сер. : Фізика : зб. наук. пр. – Харків : ХНУ, 2018. – № 915, вип. 14. – С. 60-64.