Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52209
Title: Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe
Other Titles: Influence of copper and nonstoichiometry on SnTe structure and electrophysical properties
Authors: Водоріз, Ольга Станіславівна
Дзюбенко, Наталя Іванівна
Рогачова, Олена Іванівна
Keywords: телурид олова; власні дефекти; легування; розчинність; мікротвердість; коефіцієнт Зеєбека; електропровідність; концентрація носіїв заряду; tin telluride; intrinsic defects; doping; copper; solubility; microhardness; Seebeсk coefficient; electrical conductivity; carrier charge concentration
Issue Date: 2009
Publisher: Львівський національний університет ім. Івана Франка
Citation: Водоріз О. Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe / О. Водоріз, Н. Дзюбенко, О. Рогачова // Вісник Львівського університету. Серія фізична = Visnyk of the Lviv University. Series Physics : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ, 2009. – Вип. 44. – С. 31-38.
Abstract: Досліджено вплив міді на структуру, механічні, електрофізичні та термоелектричні властивості телуриду олова з різним ступенем відхилення від стехіометрії. З'ясовано, що у разі збільшення концентрації дефектів нестехіометрії розчинність Cu у SnTe зростає. Залежності властивостей від концентрації Cu при фіксованій нестехіометрії мають немонотонний характер, засвідчуючи зміну механізму розчинення. Припускається, що за малого вмісту Cu основним механізмом входження міді у кристалічну ґратку є локалізація атомів Cu у міжвузловинах, а за подальшого збільшення концентрації Cu – заповнення катіонних вакансій та утворення дефектів заміщення.
The influence of copper on the structure, mechanical, electrophysical and thermoelectrical properties of tin telluride with a different degree of deviation from stoichiometry was carried out. It was established that the copper solubility in SnTe grows at the increase of defects nonstoichiometry concentration. The properties dependences on Cu concentration at the fixed nonstoichiometry have nonmonotonous character, indicating the change of the solubility mechanism. It is assumed that localization of the Cu atoms in interstitials is basic mechanism of the copper implantation in lattice at small content of Cu, but at the subsequent increase of the Cu concentration – cationic vacancies infill and substitution defects formation.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52209
Appears in Collections:Кафедра "Фізика"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
visnyk_LU_2009_44_Vodoriz_Vplyv_midi.pdf346,8 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.