Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/55113
Title: Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением
Authors: Огурцов, Александр Николаевич
Близнюк, Ольга Николаевна
Масалитина, Наталья Юрьевна
Keywords: электронные возбуждения; температура; давление; ван-дер-ваальсовые кристаллы
Issue Date: 2011
Publisher: Український державний хіміко-технологічний університет
Citation: Огурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146.
Abstract: В рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/55113
Appears in Collections:Кафедра "Біотехнологія, біофізика та аналітична хімія"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
VHHT_2011_2_Ogurtcov_Opredelenie_termodinamich_parametrov.pdf168,97 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.