Исследование инерционных характеристик фоторезисторов в физическом практикуме
Вантажиться...
Дата
2020
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
ПФ "Колегиум"
Харківський національний університет радіоелектроніки
Харківський національний університет радіоелектроніки
Анотація
Полупроводниковые фоторезисторы находят широкое применение в различных устройствах фотопреобразователей, особенно там, где необходим широкий диапазон спектральной чувствительности и/или значительная мощность рассеивания. Одной из основных характеристик, влияющей на инерционность и фоточувствительность фоторезисторов, является среднее время жизни неравновесных носителей заряда, возникающих под действием света. Определение данного параметра в требуемом диапазоне освещенностей для каждого конкретного фоторезистора необходимо при регистрации переменных световых потоков. С точки зрения фундаментальной науки, экспериментальное изучение фотопроводимости позволяет студентам инженерных специальностей понять основы зонной теории и физические процессы, возникающие при взаимодействии электромагнитного излучения с полупроводником. Традиционно, для исследования фотопроводимости используется осциллограф и модулированный по амплитуде световой поток, что не позволяет автоматизировать процесс измерения и требует дополнительных габаритных элементов для формирования переменного светового потока (генераторы или прерыватели). Поэтому создание современной компактной автоматизированной установки для индивидуального изучения явления фотопроводимости в физическом практикуме является актуальным.
Опис
Ключові слова
полупроводниковые фоторезисторы, электромагнитное излучение, фотопроводимость, микроконтроллеры, светодиоды
Бібліографічний опис
Андреев А. Н. Исследование инерционных характеристик фоторезисторов в физическом практикуме / А. Н. Андреев, О. Н. Андреева // Радіотехніка : всеукр. міжвідом. наук.-техн. зб. / ред. кол.: М. І. Сліпченко [та ін.] ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків : Колегіум, 2020. – Вип. 202. – С. 189-195.