Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2014

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна

Анотація

Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
Досліджено структуру та фазовий склад багатошарових періодичних композицій C/Si за допомогою малокутової рентгенівської дифракції, просвічувальної електронної мікроскопії та Раманівської спектроскопії при температурах 50—1050 °C. У початковому стані композиція C/Si є аморфними шарами вуглеця та кремнію, розділеними аморфними змішаними зонами різної густини. Зі зростанням температури відбувається змінення періоду композиції внаслідок зростання зон та графітизації вуглецю. При 700 °C починається кристалізація кремнію. При 800°C на основі кристалічного кремнію формується кристалічний SiC кубічної модифікації. При 900—1000 °C відбувається руйнування періодичної структури композиції.
Structure and composition of C/Si periodical multilayers were investigated by means of low-angle X-ray diffraction, transmission electron microscopy and Raman spectroscopy at temperatures within 50—1050 °C range. In as-deposited state C/Si multilayer presents amorphous carbon and silicon layers divided by amorphous intermixing layers of different density. As the temperature increases, multilayer period changes as a result of increase of intermixing layers and carbon graphitization. At 700 °C silicon crystallization begins. At 800 °C crystalline SiC of cubic modification forms on basis of crystalline silicon. At 900—1000 °C destruction of multilayer periodical structure takes place.

Опис

Ключові слова

наноразмерные композиции, экстремальный ультрафиолет, многослойная оптика, структурно-фазовые превращения, межслоевое взаимодействие, термостабильность, нанорозмірні композиції, екстремальний ультрафіолет, багатошарова оптика, структурно-фазові перетворення, міжшарова взаємодія, термостабільність, nanoscale compositions, extreme ultraviolet, multilayer optics, structural and phase transformations, layer interaction, thermostability

Бібліографічний опис

Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si / И. А. Журавель [и др.] // Физическая инженерия поверхности = Physical surface engineering. – 2014. – Т. 12, № 1. – С. 20–30.