Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57475
Title: Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии
Other Titles: Evolution of structure of multilayer Si/Mg2Si X-Ray mirrors at thermal influence
Authors: Конотопский, Л. Е.
Копылец, Игорь Анатольевич
Севрюкова, Виктория Анатольевна
Зубарев, Евгений Николаевич
Кондратенко, Валерий Владимирович
Keywords: многослойное рентгеновское зеркало; силицид магния; рентгеновский фазовый анализ; электронная микродифракция; багатошарове рентґенівське дзеркало; силіцид магнію; рентґенівська фазова аналіза; електронна мікродифракція; X-ray mirror; magnesium silicide; X-ray phase analysis; electron microdiffraction
Issue Date: 2016
Publisher: Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України
Citation: Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии / Л. Е. Конотопский [и др.] // Металофізика та новітні технології = Metallophysics and Advanced Technologies = Металлофизика и новейшие технологии. – 2016. – Т. 38, № 6. – С. 825—838.
Abstract: Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg2Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750⁰C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg2Si слои Si – аморфные. Слои Mg2Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450⁰C наблюдается кристаллизация слоёв Mg2Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg2Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600⁰C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.
Методами рентґенівської дифрактометрії та просвітлювальної електронної мікроскопії поперечних зрізів досліджено структуру багатошарового рентґенівського дзеркала (БРД) Si/Mg2Si у вихідному стані та після термічного відпалу в інтервалі температур 50—750⁰C. У вихідному стані в БРД Si/Mg2Si шари Si є аморфними. Шари Mg2Si являють собою аморфну матрицю з нанокристалічними включеннями Mg2Si у метастабільній гексагональній модифікації. При відпалі до 450⁰C спостерігається кристалізація шарів Mg2Si, що супроводжується збільшенням густини силіциду і, відповідно, зменшенням періоду на 7,3%. Подальший відпал БРД Si/Mg2Si приводить до кристалізації шарів Si в інтервалі температур 500—600⁰C, в результаті чого період рентґенівського дзеркала зменшується на 6,36%.
The study of multilayer Si/Mg2Si structure in initial state and after thermal annealing in temperature range 50—750⁰C by the methods of small-angle X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy is carried out. As-deposited silicide layers are amorphous. Magnesium silicide layers are amorphous with nanocrystalline inclusions of Mg2Si in metastable hexagonal modification. After thermal annealing at T= 450⁰C, the Mg2Si layers are crystallized with increasing in density and, correspondingly, with 7.3% reduction in period of the Si/Mg2Si multilayer. The further annealing of Si/Mg2Si multilayer results in crystallization of Si layers in temperature range 500—600⁰C. Consequently, period of the Si/Mg2Si multilayer is decreased by 6.36%.
DOI: doi.org/10.15407/mfint.38.06.0825
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57475
Appears in Collections:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
MFINT_2016_38_6_Konotopskyi_Evolution_of_structure.pdf969,06 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.