Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57476
Title: Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi2/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
Other Titles: Міжшарове перемішування в багатошарових періодичних композиціях Mo/Si, MoSi2/Si і Mo/C/Si/C при опромінюванні іонами гелію
Interlayer Mixing in Mo/Si, MoSi2/Si and Mo/C/Si/C Multilayers During Irradiation by Helium Ions
Authors: Пеньков, А. В.
Зубарев, Евгений Николаевич
Польцева, О. В.
Пономаренко, А. Г.
Кондратенко, Валерий Владимирович
Бобков, В. В.
Перегон, Т. И.
Тищенко, Л. П.
Keywords: ионно-лучевого перемешивания; многослойные периодические композиции; облучение ионами гелия; рентгеновские зеркала
Issue Date: 2006
Publisher: Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт"
Citation: Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi2/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А. В. Пеньков [и др.] // Вопросы атомной науки и техники : науч.-технич. сб. Серия : Физика радиационных повреждений. – Харьков, 2006. – № 4 (89). – С. 157-163.
Abstract: С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi2/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучен
За допомогою електронної мікроскопії поперечних зрізів і малокутової рентгенівської дифрактометрії досліджені початкові стадії іонно-променевого перемішування в багатошарових плівкових композиціях Mo/Si і Mo/C/Si/C при опромінюванні іонами гелію з енергією 40 кэВ. Показана відсутність перемішування у фазовій-рівноважній системі MoSi2/Si. Початок процесу іонно-променевого перемішування в композиціях Mo/Si обумовлений наявністю в початковому стані перемішаних зон між молібденом і кремнієм. Введення вуглецевих бар'єрних шарів між молібденом і кремнієм перешкоджає формуванню перемішаних зон і підвищує радіаційну стійкість. Встановлена залежність зміни товщини шарів багатошарового покриття від дози опромінювання.
The initial stages of ion-beam mixing are explored in Mo/Si and Mo/C/Si/C multilayers at an irradiation by 40 кэВ helium ions using electron microscopy of cross-sections and low angle x-ray diffractometry. Absence of interfusion is shown in the immiscible system MoSi2/Si. Beginning of process of ion-beam mixing in Mo/Si composition is caused by presence in the initial state of the mixed zones between molybdenum and silicon. Introduction of carbon barrier layers between molybdenum and silicon blocks forming of the mixed zones and increase radiation stability. Dependence of layer thicknesses versus irradiation dose was studied.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57476
Appears in Collections:Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
VANT_2006_89_4_Penkov_Mezhsloevoe_peremeshivanie.pdf2,69 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.