Analysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors
Вантажиться...
Дата
2007
ORCID
DOI
doi.org/10.1007/978-1-4020-6018-2_72
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Springer
Анотація
Specific structural changes in Sc/Si multilayers (MLs) irradiated by nanosecond 46.9-nm single laser pulses with fluences of 0.04-5.00 J/cm2 were studied by methods of SEM and cross-sectional TEM. The threshold damage was found to be 0.08 J/cm2 The ML melts down under the fluence F >0.08 J/cm2 and the exothermic reaction of silicide formation starts. Main degradation mechanisms
of MLs are discussed. The results of this study can be used for development of advanced multilayer mirrors capable handling the intense radiation conditions of new generation coherent X-ray sources.
Специфічні структурні зміни в багатошарах (МШ) Sc/Si, опромінених наносекундними одиночними лазерними імпульсами 46,9 нм з флюенсом 0,04-5,00 Дж/см2, досліджено методами СЕМ та поперечної ТЕМ. Встановлено, що порогове пошкодження становить 0,08 Дж/см2. ML плавиться під впливом потоку F >0,08 Дж/см2, і починається екзотермічна реакція утворення силіциду. Обговорюються основні механізми деградації ML. Результати цього дослідження можуть бути використані для розробки передових багатошарових дзеркал, здатних працювати в умовах інтенсивного випромінювання когерентних джерел рентгенівського випромінювання нового покоління.
Специфічні структурні зміни в багатошарах (МШ) Sc/Si, опромінених наносекундними одиночними лазерними імпульсами 46,9 нм з флюенсом 0,04-5,00 Дж/см2, досліджено методами СЕМ та поперечної ТЕМ. Встановлено, що порогове пошкодження становить 0,08 Дж/см2. ML плавиться під впливом потоку F >0,08 Дж/см2, і починається екзотермічна реакція утворення силіциду. Обговорюються основні механізми деградації ML. Результати цього дослідження можуть бути використані для розробки передових багатошарових дзеркал, здатних працювати в умовах інтенсивного випромінювання когерентних джерел рентгенівського випромінювання нового покоління.
Опис
Ключові слова
laser radiation, specific structural changes, single laser pulses, methods of SEM, наносекундні одиночні лазерні імпульси, cпецифічні структурні зміни, імпульсне лазерне випромінювання, екзотермічна реакція утворення силіциду
Бібліографічний опис
Analysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors [Electronic resource] / Yu. P. Pershyn [et al.] // Springer Proc. in Physics. – 2007. – Vol. 115. – X-Ray Lasers 2006 / edited by P. V. Nickles and K. A. Janulewicz, – Electronic text data. – Dordrecht (The Netherlands) : Springer, 2007. – P. 563-569. – URI: https://www.researchgate.net/publication/226998995_Analysis_of_469-nm_Pulsed_Laser_Radiation_Aftereffects_in_ScSi_Multilayer_X-Ray_Mirrors/link/0fcfd5045abdca356c000000/download, free (accessed 27.06.2022).