Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module
Вантажиться...
Дата
2017
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Луцький національний технічний університет
Анотація
Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.
Досліджено можливості підвищення ефективності понад 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп'ютерного моделювання встановлено, що реалізовані в таких фотоелектричних перетворювачів часи життя нерівноважних носіїв заряду, які складають 520 мкс, не обмежують можливість збільшення їх ККД понад 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43.1 мА / см² призводить до зростання ККД до 20.1%, а зниження щільності діодного струму насичення до 3.1 ∙ 10⁻¹⁴A / см² - зумовлює зростання ККД до 20.4%. Одночасна зміна цих діодних характеристики призводить до збільшення ККД до 23.1%. У роботі пропонуються фізико-технологічні підходи для збільшення щільності фотоструму і зменшення щільності діодного струму насичення в готових фотоелектричних перетворювачів.
Досліджено можливості підвищення ефективності понад 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп'ютерного моделювання встановлено, що реалізовані в таких фотоелектричних перетворювачів часи життя нерівноважних носіїв заряду, які складають 520 мкс, не обмежують можливість збільшення їх ККД понад 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43.1 мА / см² призводить до зростання ККД до 20.1%, а зниження щільності діодного струму насичення до 3.1 ∙ 10⁻¹⁴A / см² - зумовлює зростання ККД до 20.4%. Одночасна зміна цих діодних характеристики призводить до збільшення ККД до 23.1%. У роботі пропонуються фізико-технологічні підходи для збільшення щільності фотоструму і зменшення щільності діодного струму насичення в готових фотоелектричних перетворювачів.
Опис
Ключові слова
photo-electric transformers, crystal silicon, an efficiency, exit parameters, light diode characteristics, кристалічний кремній, коефіцієнт корисної дії, світлові діодні характеристики, електрична енергія, напруга
Бібліографічний опис
Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module / R. V. Zaytsev [et al.] // Наукові нотатки : міжвуз. зб. (за галузями знань "Технічні науки") / ред. кол.: В. Д. Рудь [та ін.] ; Луц. нац. техн. ун-т. – Луцьк : ЛНТУ, 2017. – Вип. 59. – С. 119-125.