Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58095
Title: Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface
Other Titles: Чутливість кремнієвих фотоелектричних перетворювачів до кута падіння світла на їх приймальну поверхню
Authors: Kirichenko, M. V.
Kopach, V. R.
Zaitsev, R. V.
Bondarenko, S. A.
Keywords: photoconverter; photovolt; light incidence angle; reflection coefficient; parameters; електрична енергія; коефіцієнт відбиття; сонячне випромінювання; фотовольт; напруга
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Citation: Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface / M. V. Kirichenko [et al.] // Sensor Electronics and Microsystem Technologies = Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2009. – № 3. – P. 22-26.
Abstract: The results of output parameters dependences researches for multijunction silicon photovoltaic converters (PVC) upon solar radiation incidence angle on their receiving surface are presented. It has been shown that for improving of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals as well as the optical reflection coefficient for metal/Si boundaries (interfaces) inside multijunction PVC, while for using multijunction PVC in the optical location systems the forced reduction of these values is reasonable.
Наведено результати досліджень залежностей вихідних параметрів багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) від кута падіння сонячного випромінювання на їх приймальну поверхню. Показано, що для збільшення ККД ФЕП необхідно забезпечити підвищені значення часу життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах та коефіцієнта оптичного відбиття від границь метал/Si всередині багатоперехідних ФЕП, у той час, як при використанні багатоперехідних ФЕП у системах оптичної локації визначення напряму розповсюдження випромінювання доцільним є примусове зниження цих величин.
ORCID: orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
DOI: doi.org/10.18524/1815-7459.2009.3.115909
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58095
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SEMT_2009_3_Kirichenko_Sensitivity.pdf249,57 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.