Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58122
Title: Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
Other Titles: Двошаровий ІТО/АІ тильно-поверхневий рефлектор для одноперехідних кремнієвих фотоперетворювачів
Authors: Kopach, V. R.
Kirichenko, M. V.
Shramko, S. V.
Zaitsev, R. V.
Keywords: silicon photoconverters; reflector; solar energy; chemical reactions; electric power; електрична енергія; напруга; сонячна енергія; хімічні реакції
Issue Date: 2008
Publisher: Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals"
Citation: Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters / V. R. Kopach [et al.] // Functional materials. – 2008. – Vol. 15, No.4. – P. 604-607.
Abstract: It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.
Показано, що для підвищення ефективності роботи і технологічності виготовлення монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Sі-ФЕП) сонячної енергії з товщиною базових кристалів 180+200 мкм, які мають поліровану фотоприймальну поверхню та двошаровий тильно-поверхневий рефлектор (ТПР), що складається з шарів прозорого оксиду та алюмінію, необхідно в якості неметалічного шару ТПР використовувати провідний прозорий шар із індій-олов'яного оксиду (ІТО) з інтерференційною товщиною 0.25 мкм. Це забезпечує коефіцієнт відбиття ІТО/АІ ТПР у межах 85 < R < 96 % для фотоактивної компоненти сонячного випромінювання, що падає на тильну поверхню Sі-ФЕП, при практично нульовому внеску опору шару ІТО у послідовний опір приладу. У випадку Sі-ФЕП з текстурою фотоприймальної поверхні кристала типу інвертованих пірамід, при якій специфіка поширення світла у кристалі обумовлює реалізацію ефекту повного внутрішнього відбивання випромінювання від границі розділу Sі/ІТО, для мінімізації втрат енергії фотоактивного випромінювання та опору шару ІТО його товщину слід експериментально оптимізувати у межах значень 1+2 мкм незалежно від товщини базового кристала.
ORCID: orcid.org/0000-0002-4847-506X
orcid.org/0000-0003-2286-8452
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58122
Appears in Collections:Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
FM_2008_15_4_Kopach_Double.pdf447,2 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.