Scandium-silicon multilayer X-ray mirrors with CrB2 barrier layers

Abstract

Methods of X-ray reflectometry λ0.154 nm), cross-sectional transmission electron microscopy and re flectometry in the EUV region (λ = 41-51 nm) were used to investigate the barrier properties of CrB2 layers 0.3-1.3 nm thick in Sc/CrB2/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) deposited by DC magnetron sputtering. It is shown that barrier layers of ~ 0.3 nm separate Sc and Si layers completely and prevent interacting the Sc and Si layers. Thinner chromium diboride layers interact with the matrix layers forming interlayers containing mostly ScB2 on the Si-on-Sc interfaces and CrSi2 on the Sc-on-Si ones. Scandium-silicon MXMs with barrier layers on the both interfaces are shown to retain high reflectivity at the wavelength of λ ~ 47 nm.Для дослідження бар'єрних властивостей шарів CrB2 товщиною 0,3-1,3 нм у багатошарових рентгенівських дзеркалах (MXM), що осідають багатошаровими рентгенівськими дзеркалами (MXM), що осідають за допомогою магнетронного напилення постійним струмом, використовувалися методи рентгенівської рефлексії Sc/CrB2/Si товщиною 0,3-1,3 нм. Показано, що бар'єрні шари ~ 0,3 нм повністю розділяють шари Sc і Si і перешкоджають взаємодії шарів Sc і Si. Більш тонкі шари дибориду хрому взаємодіють з матричними шарами, утворюючи прошарки, що містять в основному ScB2 на інтерфейсах Si-on-Sc і CrSi2 на Sc-on-Si. Показано, що скандієво-кремнієві MXM з бар'єрними шарами на обох інтерфейсах зберігають високу відбивну здатність на довжині хвилі ~ 47 нм.