Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/8632
Title: Выбор драйверов силовых транзисторов в преобразователях, используемых в качестве управляемых драйверов светодиодов
Other Titles: Choice of the mosfet drivers for the converter utilized as dimmable LED driver
Authors: Тетервёнок, О. Д.
Галкин, И. А.
Keywords: DC-DC преобразователь; драйвер MOSFET транзистора; DC-DC converter; LED driver; MOSFET driver
Issue Date: 2013
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Тетервёнок О. Д. Выбор драйверов силовых транзисторов в преобразователях, используемых в качестве управляемых драйверов светодиодов / О. Д. Тетервёнок, И. А. Галкин // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 2 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета “Харьковского политехнического института”. – С. 101-104.
Abstract: Данная статья представляет собой описание одного из этапов разработки преобразователя (драйвера светодиодов), работающего по новым принципам в режиме амплитудного регулирования. Описаны принципы построения драйверов силовых транзисторов для схемы, в которой оба MOSFET транзистора являются n-канальными. Рассмотрена так же схема, в которой один из транзисторов заменен на р-канальный MOSFET. Использование р-канального транзистора позволяет избавиться от использования гальванически развязанного блока питания для драйвера транзистора верхнего плеча. В последней части статьи приведены расчеты потерь драйверов транзисторов, что позволяет судить о целесообразности использования того или иного подхода в зависимости от конфигурации преобразователя и области его применения. С точки зрения потерь схему с p-канальным транзистором выгоднее использовать при низком входном напряжении (порядка 12-25 В).
This paper represents one of the development stages of the converter (LED driver) operating in amplitude mode light regulation. The principles of construction of the MOSFET driver circuits for the schematic with two n-channel MOSFET transistors are described. Also the schematic where high side transistor is substituted with p-channel transistor is considered. Utilization of the p-channel transistor allows eliminating necessity of using of isolated power supply for driver of the high side transistor. In the last section of the article the losses in driver circuitsare considered. This allows evaluating the scope of application for both considered approaches. From point of view of losses in driver circuits it is preferable to use schematic with p-channel transistor at lower input voltages (in range of 12-30 V).
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/8632
Appears in Collections:Кафедра "Економічний аналіз і облік"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EEE_2013_8_T_2_Tetervenok_Choice.pdf754,19 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.