Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9652
Title: Туннельная кристаллизация кремния, германия
Authors: Червоный, И. Ф.
Швец, Е. Я.
Головко, Ю. В.
Егоров, С. Г.
Keywords: материаловедение; атомарные полупроводники; выращивание монокристаллов; структура; плотность; механизм кристаллизации; silicon; germanium; structure; density; crystallization mechanism
Issue Date: 2012
Publisher: НТУ "ХПИ"
Citation: Туннельная кристаллизация кремния, германия / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2012. – № 18. – С. 79-84.
Abstract: Предложен механизм «туннельного» перехода плотности при ускоренной кристаллизации кремния и германия, учитывающий кристаллохимические аспекты кристаллизации атомарных полупроводников.
The mechanism of "tunnel" transition of density is offered at the accelerated crystallization of silicon and germanium, taking into account crystal-chemical aspects of crystallization of atomic semiconductors.
URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9652
Appears in Collections:Вісник № 18

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
vestnik_HPI_2012_18_Chervonyy_Tunnelnaya.pdf520,49 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record  Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.